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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
56
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3140
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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