RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
56
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
14.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3593
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link