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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
56
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.1
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
40
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
9.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
6.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2031
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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