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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
56
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3112
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
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