RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Comparar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Pontuação geral
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
52
Por volta de -126% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14900
Por volta de 1.43 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
23
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.9
Largura de banda de memória, mbps
14900
21300
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
2631
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link