RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
81
Por volta de 68% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
81
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1634
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link