RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2647
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Guangzhou Zhong Hao Tian Electronic ZFWY8G1866PC 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link