RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2511
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB Comparações de RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link