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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
26
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3216
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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