RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link