RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2451
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD8GX3M2A2666C12 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link