RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3621
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link