RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
26
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2989
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link