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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2815
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
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