RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
52
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
2865
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
UMAX Technology 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link