RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
47
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3443
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-024.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link