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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
54
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.8
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
18
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3402
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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