RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
5.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
54
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
5.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
1699
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link