RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
54
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3568
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link