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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
49
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
14.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3593
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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