RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3297
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link