RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
AMD R748G2606U2S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
61
Por volta de 56% menor latência
Razões a considerar
AMD R748G2606U2S 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
61
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2028
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link