RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2688
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link