RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
14.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3372
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
UMAX Technology 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link