RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
42
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
34
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3193
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link