RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
AMD R7416G2133U2S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R7416G2133U2S 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
78
104
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.7
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
78
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
6.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
1594
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link