RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
104
Por volta de -259% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2832
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link