RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
14.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
104
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3112
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link