RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
104
Por volta de -247% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2846
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link