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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Pontuação geral
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Pontuação geral
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 17
    Valor médio nos testes
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Razões a considerar
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    63 left arrow 104
    Por volta de -65% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.8 left arrow 2,404.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    104 left arrow 63
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,192.0 left arrow 17.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,404.5 left arrow 8.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    786 left arrow 2061

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM

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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Comparações de RAM

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