RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
75
Por volta de -150% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3273
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link