RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
17.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
74
Por volta de -208% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
17.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
4064
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link