RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
73
Por volta de -128% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
8.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2478
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB Comparações de RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link