RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
73
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
11.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2919
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link