RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
73
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2478
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link