Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Pontuação geral

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Pontuação geral

Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 12.6

Valor médio nos testes

Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Relatar um erro

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 73

Por volta de -181% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.7 1,423.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 5300

Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

73 26
Velocidade de leitura, GB/s

3,510.5 12.6
Velocidade de escrita, GB/s

1,423.3 8.7
Largura de banda de memória, mbps

5300 17000

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

476 2257

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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