RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
73
77
Por volta de 5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
77
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
6.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
1549
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link