RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
69
Por volta de -116% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
13.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3278
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link