RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
69
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3341
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
UMAX Technology 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link