RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
69
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
11.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2890
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
OCZ OCZ2P800R21G 1GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link