RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
68
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
13.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
3188
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link