RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
64
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
51
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
2387
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link