RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
38
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
22
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3038
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link