RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
38
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3313
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link