RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
38
Por volta de -19% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2819
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link