RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
38
Por volta de -65% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2476
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link