RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
45
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
3116
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link