RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
47
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2323
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link