RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
47
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
38
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2841
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link