RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
45
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
16.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3742
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link